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总结
中核集团17日透露，中国原子能科学研究院自主研制的中国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平。业内分析认为，这意味着我国已全面掌握该类设备从研制到关键部件的全链路技术，打通功率半导体制造链关键环节。离子注入机与光刻、刻蚀、薄膜沉积并列为芯片制造“四大核心装备”，此次突破被视为核技术与半导体产业深度融合成果，有助于提升高端制造装备自主可控能力并增强产业链安全保障。
正文
中国首台串列型高能氢离子注入机成功出束 中核集团17日透露，由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的中国首台串列型高能氢离子注入机 (POWER-750H)成功出束，核心指标达到国际先进水平。分析称，这标志着中国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克功率半导体制造链关键环节，为推动高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定坚实基础。离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造 "四大核心装备"，是半导体制造不可或缺的 "刚需" 设备。此次高能氢离子注入机的成功研制，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升中国在功率半导体等关键领域的自主保障能力。 -- 中国新闻网
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