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总结
1月17日，据韩媒IT Chosun报道，三星电子第六代10纳米级DRAM制程（1c nm）良率已提升至约60%，突破量产盈亏平衡点。由于HBM4将基于该DRAM工艺，更高的Die良率有望提升HBM4利润并改善业绩。报道还称，三星在1c DRAM上从近期“良率优先、谨慎量产”转向更快推进量产，以更积极回应市场并争取英伟达等关键客户订单。TrendForce指出，在规格升级与HBM3E需求旺盛带动下，HBM量产最快或在2026年一季度末到来，三星、SK海力士与美光仍有时间继续提升良率。
正文
IT之家 1 月 17 日消息，韩媒 IT Chosun 昨日报道称，三星电子的第六代 10 纳米级 DRAM 内存制程工艺（IT之家注：即 1c nm）目前的良率已提升至约 60%， 突破了量产盈亏平衡点 。 此举被视为一项重要里程碑，因为三星电子 HBM4 内存便基于 1c nm DRAM。 DRAM Die 的更高良率有助于三星在 HBM4 上获得更多的利润 ，进一步提升业绩表现。 报道表示，三星电子在 1c DRAM 上一改近期以良率优先、谨慎推动量产进程的策略，回到了快速进入量产以更积极回应市场动态的传统模式，这有利于从英伟达等重要客户手中赢得订单。 TrendForce 集邦咨询此前表示，在规格要求提升、现有 HBM3E 平台需求旺盛的推动下，HBM 内存的量产时间点最快将于 2026Q1 末到来， 三星电子、SK 海力士、美光仍有时间精进产品良率表现 。
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