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总结
据韩媒ETNews报道，SK海力士已完成对其中国江苏无锡DRAM晶圆厂的制程转换，主要工艺由1z nm（第三代10纳米级）升级至1a nm（第四代10纳米级）。该厂约贡献公司三分之一DRAM产能，目前月投片18万至19万片12英寸晶圆中约九成已为1a nm。由于1a nm需EUV光刻且设备受进口限制，无锡产1a nm产品需在韩国完成部分工序。SK海力士未对报道置评。
正文
IT之家 1 月 19 日消息，韩媒 ETNews 本月 14 日报道称，SK 海力士已完成对中国江苏无锡 DRAM 内存晶圆厂的制程转换工作， 主要工艺已从 1z nm（IT之家注：第三代 10 纳米级）升级至 1a nm（第四代 10 纳米级） 。 无锡晶圆厂为 SK 海力士贡献了约 1/3 的 DRAM 产能，报道指在该厂当下每月 18~19 万片 12 英寸晶圆的投片量中 已有大致九成为 1a nm 。由于 1a nm 需要 EUV 光刻但相关设备存在进口限制，因此无锡所产 1a nm 产品需要在韩国完成部分步骤。 ▲ SK 海力士无锡生产基地 SK 海力士官方对 ETNews 的报道不予置评 。
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