SK海力士无锡DRAM晶圆厂升级至1a nm制程

据韩媒ETNews报道，SK海力士已完成对其中国江苏无锡DRAM晶圆厂的制程转换，主要工艺由1z nm（第三代10纳米级）升级至1a nm（第四代10纳米级）。该厂约贡献公司三分之一DRAM产能，目前月投片18万至19万片12英寸晶圆中约九成已为1a nm。由于1a nm需EUV光刻且设备受进口限制，无锡产1a nm产品需在韩国完成部分工序。SK海力士未对报道置评。