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总结

台积电在IEEE国际电子设备会议(IEDM)上首次详细披露2纳米(N2)制程技术,采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管架构,以加强电流控制并提升性能与能效。测试数据显示,N2晶体管密度提升1.15倍,功耗可降低24%至35%,性能提升15%,SRAM密度达37.9Mb/mm²。台积电原计划于2025年下半年量产,官网“逻辑制程”页面显示该技术已于2025年第四季度开始量产,页面更新时间为12月16日。初期代工报价预计2.5万至3万美元/片,潜在首批客户包括苹果、高通和联发科。

正文

科技圈🎗在花频道📮 : 台积电2nm制程技术细节曝光:性能提升15%,明年量产 台积电在IEEE国际电子设备会议(IEDM)上首次详细披露了2纳米(N2)制程工艺的技术细节。新制程采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管架构,提供更好的电流控制和性能优化能力。 测试数据显示,N2制程的晶体管密度提升1.15倍,功耗可降低24%-35%,性能提升15%。SRAM密度达到37.9Mb/mm²,创下行业新纪录。台积电计划于2025年下半年量产N2制程,初期晶圆代工价格预计为2.5万至3万美元/片,首批客户可能包括苹果、高通和联发科等。... 台积电 2 纳米技术如期量产,采用首代纳米片晶体管 台积电 2 纳米(N2)技术已于 2025 年第四季度开始量产。该公司官网"逻辑制程"页面显示,此前该技术状态为"开发依照计划进行并且有良好的进展",最新更新时间为 12 月 16 日。 N2 技术采用第一代纳米片 Nanosheet(GAA)晶体管技术,台积电称其将成为业界在密度和能源效率上最先进的半导体技术,提供全制程节点的性能及功耗进步。 格隆汇 🍀 在花频道 🍵 茶馆聊天 📮 投稿
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