台积电2纳米（N2）制程披露与2025年下半年量产进展

台积电官网“逻辑制程”页面显示，其2纳米（N2）制程已按计划于2025年第四季开始量产。该页面在11月21日仍表述为“开发依照计划进行并且有良好的进展”，而路线图最近更新日期为12月16日，意味着官方对量产时间的确认发生在近期。台积电称，N2采用第一代纳米片（Nanosheet）GAA晶体管技术，可在整个制程节点带来性能与功耗改善，并将提升芯片密度与能源效率，强化先进半导体制造竞争力。

台积电2纳米（N2）制程于2025年第四季度正式进入量产阶段。台积电官网“逻辑制程”页面在12月16日更新显示，N2技术状态由此前的“开发依照计划进行”变更为量产。该制程采用第一代纳米片（Nanosheet/GAA）晶体管架构。台积电称，N2在密度与能效方面具备先进性，可在全制程节点带来性能提升与功耗改善，预计将推动相关芯片产品的升级与产业应用推进。

台积电在IEEE国际电子设备会议（IEDM）上首次详细披露2纳米（N2）制程技术，采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管架构，以加强电流控制并提升性能与能效。测试数据显示，N2晶体管密度提升1.15倍，功耗可降低24%至35%，性能提升15%，SRAM密度达37.9Mb/mm²。台积电原计划于2025年下半年量产，官网“逻辑制程”页面显示该技术已于2025年第四季度开始量产，页面更新时间为12月16日。初期代工报价预计2.5万至3万美元/片，潜在首批客户包括苹果、高通和联发科。