氮化铝薄膜

IT之家1月16日消息，西安电子科技大学公众号1月13日称，郝跃院士、张进成教授团队在芯片散热关键界面上取得突破：通过“离子注入诱导成核”改变氮化铝缓冲/成核层生长模式，将传统粗糙“岛状”多晶结构转为原子级平整的单晶薄膜，显著降低界面缺陷，使界面热阻降至原来的三分之一。基于该工艺制备的氮化镓微波功率器件在X/Ka波段实现42/20 W/mm输出功率密度，较国际纪录提升30%—40%。成果发表于《自然·通讯》和《科学·进展》，被认为有望支撑5G/6G、卫星互联网等高功率射频器件发展，并间接改善未来手机信号与续航体验。