西电团队将芯片界面热阻降至三分之一

西安电子科技大学郝跃院士团队在半导体材料界面工程上取得突破，针对困扰业界约二十年的芯片散热与性能瓶颈，通过提升层间界面质量并改进氮化铝中间层“岛屿”结构，将界面热阻降至原先三分之一。基于该方案研制的氮化镓微波功率器件单位面积功率提升30%至40%，有望提升探测设备探测距离、扩大通信基站信号覆盖并降低能耗，也可能带来终端体验升级。团队下一步探索应用超高热导材料，若实现，器件功率处理能力有望提升至现有十倍甚至更高。