上海微电子SSC800/10步进扫描式DUV光刻机中标与国产ArF光刻突破

上海微电子中标SSC800/10步进扫描式光刻机，该设备采用193nm ArF深紫外光刻技术，套刻精度≤15nm，原生支持28nm成熟制程，并可通过多重曝光实现14nm制程芯片制造，被称为目前国产步进扫描式光刻机中制程能力最强机型。其意义在于在高端DUV领域取得突破，填补国内28nm步进扫描式光刻机空白，并被描述为国内唯一可实现28nm及以下制程的自主光刻设备，支撑成熟制程芯片的国产化生产。对标国际产品，较ASML高端ArF浸没式DUV在多重曝光可达7nm等方面仍存在一代以上差距；与尼康等2010年代初中高端DUV水平相当。受限于不涉及EUV技术，无法用于7nm及以下先进制程，主要面向汽车、物联网、电源管理等28nm/14nm应用。