三星电子美国得州泰勒晶圆厂升级布局2nm制程并扩产（2025-2027）

三星电子加快推进其位于美国得州泰勒的晶圆厂先进制程布局，将原规划的4nm工艺升级至2nm，并已下达与2nm制程匹配的半导体制造设备订单。首批设备预计于2026年3月导入，最早在2026年第二季度启动初始制造，计划于2027年实现大规模量产。该厂初期月产能目标由2万片提升至5万片，并规划在2027年达到10万片月产能，意在以扩产与先进制程能力争取更多订单，与台积电竞争并吸引美国客户。