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总结
SK海力士在国际电子器件会议（IEDM）上公布其NAND Flash最新研究进展，除展示最新5-Bit NAND闪存外，重点介绍面向高能效存内计算的3D FeNAND技术。其通过优化存储单元特性、非单元电路与计算方案，突破存内计算能效与吞吐瓶颈；相较此前3D FeNAND阵列，优化方案实现吞吐量提升20.4倍、能效提升7.17倍。该路线被认为可缓解AI计算的能效约束，为下一代高能效AI硬件提供潜在支撑。
正文
SK海力士新技术破解存内计算瓶颈：3D FeNAND 能效提升7.17倍、算力提升20.4倍 SK海力士在国际电子器件会议上介绍了其在NAND-Flash领域的最新研究成果，包括最新的5-Bit NAND闪存和旨在实现高能效的3D FeNAND技术。 该技术通过优化存储单元特性、非单元电路以及计算方案，实现了能效和吞吐率的显著提升。与此前的3D FeNAND阵列相比，优化后的方案实现了20.4倍的吞吐量提升与7.17倍的能效提升。此项研究为应对AI计算能效瓶颈提供了具有显著潜力的技术路径，有望推动下一代高能效AI硬件的发展。 -- IT之家
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