存内计算

SK海力士在国际电子器件会议（IEDM）上公布其NAND Flash最新研究进展，除展示最新5-Bit NAND闪存外，重点介绍面向高能效存内计算的3D FeNAND技术。其通过优化存储单元特性、非单元电路与计算方案，突破存内计算能效与吞吐瓶颈；相较此前3D FeNAND阵列，优化方案实现吞吐量提升20.4倍、能效提升7.17倍。该路线被认为可缓解AI计算的能效约束，为下一代高能效AI硬件提供潜在支撑。