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总结
报道称，SK海力士正与闪迪合作推进高带宽闪存（HBF）标准制定，计划今年推出基于16层NAND堆叠的HBF1样品。三星电子与闪迪预计最早在2027年底或2028年初，将HBF应用到英伟达、AMD及谷歌等实际产品。HBF以堆叠NAND实现更高容量，或达现有HBM的8至16倍，有望把GPU存储扩展至4TB，并被预测在2038年前后市场规模超过HBM。与此同时，存储厂商加码产能：美光拟以18亿美元收购力积电台湾晶圆厂设施以在2027年下半年提升DRAM产量；三星泰勒晶圆厂规划产能上调并计划今年二季度启动初始制造，券商认为HBF成熟将推动AI推理软件规模化应用。
正文
🚀 SK海力士与三星加速HBF商业化，最快2027年应用于英伟达产品 SK海力士正与闪迪合作制定高带宽闪存（HBF）标准，计划于今年推出首款采用16层NAND堆叠的HBF1样品。三星电子与闪迪则预计最快在2027年底或2028年初，将HBF技术应用于英伟达、AMD及谷歌的实际产品中。HBF通过堆叠NAND闪存制成，其容量有望达到现有HBM的8至16倍，可将GPU存储容量扩展至4TB。相关预测显示，HBF市场规模有望在2038年左右超越HBM。 存储厂商产能扩张动态 美光科技拟以18亿美元收购力积电位于台湾的晶圆厂设施，计划在2027年下半年显著提升DRAM产量。同时，三星电子已将泰勒晶圆厂的规划产能从每月2万片提升至5万片，初始制造计划最早于今年第二季度启动。广发证券分析指出，随着HBF技术成熟，相关数据基础软件在AI推理任务中将迎来大规模应用。 (IT业界资讯)
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