SK海力士与三星加速HBF商业化并瞄准2027-2028年导入英伟达等产品

报道称，SK海力士正与闪迪合作推进高带宽闪存（HBF）标准制定，计划今年推出基于16层NAND堆叠的HBF1样品。三星电子与闪迪预计最早在2027年底或2028年初，将HBF应用到英伟达、AMD及谷歌等实际产品。HBF以堆叠NAND实现更高容量，或达现有HBM的8至16倍，有望把GPU存储扩展至4TB，并被预测在2038年前后市场规模超过HBM。与此同时，存储厂商加码产能：美光拟以18亿美元收购力积电台湾晶圆厂设施以在2027年下半年提升DRAM产量；三星泰勒晶圆厂规划产能上调并计划今年二季度启动初始制造，券商认为HBF成熟将推动AI推理软件规模化应用。