Back to Feed
总结
报道称SK海力士与闪迪正合作推进HBF（高带宽闪存）标准制定，并计划最早于今年推出HBF1样品，预计采用16层NAND闪存堆叠。韩国科学技术院教授金正浩表示，三星电子与闪迪或在2027年底至2028年初将HBF技术导入英伟达、AMD及谷歌等实际产品；由于HBM研发积累的工艺与设计经验可复用，HBF研发节奏有望更快。HBF结构类似堆叠DRAM的HBM，未来随HBM迭代至HBM6阶段或迎来更广泛应用。
正文
SK海力士、三星加速HBF商业化进程 SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF标准的制定。该公司计划最早于今年推出 HBF1 样品，该产品预计采用16层 NAND 闪存堆叠而成。据韩国科学技术院教授金正浩透露："三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将 HBF 技术应用于英伟达、AMD以及谷歌的实际产品中。由于在研发HBM的过程中积累了丰富的工艺和设计技术，能将这些经验应用于 HBF设计中。因此 HBF技术的研发速度会更快。"HBF即高带宽闪存，其结构与堆叠 DRAM 芯片的HBM类似，是一种通过堆叠 NAND 闪存而制成的产品。金正浩进一步指出，待迭代至HBM6，HBF将迎来广泛应用，届时单个基础裸片将集成多组存储堆栈。 -- 科创板日报
发布时间：