高带宽闪存HBF

报道称SK海力士与闪迪正合作推进HBF（高带宽闪存）标准制定，并计划最早于今年推出HBF1样品，预计采用16层NAND闪存堆叠。韩国科学技术院教授金正浩表示，三星电子与闪迪或在2027年底至2028年初将HBF技术导入英伟达、AMD及谷歌等实际产品；由于HBM研发积累的工艺与设计经验可复用，HBF研发节奏有望更快。HBF结构类似堆叠DRAM的HBM，未来随HBM迭代至HBM6阶段或迎来更广泛应用。