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总结
韩媒ETNews称,三星电子计划在2026年大幅提升HBM内存制造能力,理论月产能将由目前约17万片晶圆提高到约25万片,增幅接近五成。报道称投资重心将放在HBM4,扩产方式包括将部分现有DRAM产能转为HBM,以及在平泽P4晶圆厂集群新建产线。由于HBM3/3E早期表现不及对手,三星HBM份额今年初曾快速下滑并出现产线未满载;但自2025年下半年起,HBM3E与HBM4样品在英伟达、博通、AMD测试认证中表现良好,为2026年订单提供保障。
正文
IT之家 12 月 31 日消息,韩媒 ETNews 在昨日的报道中表示,三星电子将在明年积极提升 HBM 内存制造能力, 理论产能将从当前的每月约 17 万片增至每月约 25 万片 ,增幅接近五成。 报道指出,三星的投资重心将放在最新的 HBM4 上,HBM 扩产的手段为转换现有 DRAM 产能和在平泽 P4 晶圆厂集群新建产线。 由于 HBM3、HBM3E 产品初期表现不及竞争对手,三星电子在 HBM 领域的市场占有在今年初经历了极速下滑,这导致在很长一段时间内其 HBM 生产线无法满载运行。 而从 2025 年下半年开始,三星电子在 HBM 领域接连收获好消息:HBM3E、HBM4 样品在英伟达、博通、AMD 三大客户的测试认证中的表现良好, 保障了 2026 年的订单 。
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