三星电子2026年HBM产能扩张计划

韩媒ETNews称，三星电子计划在2026年大幅提升HBM内存制造能力，理论月产能将由目前约17万片晶圆提高到约25万片，增幅接近五成。报道称投资重心将放在HBM4，扩产方式包括将部分现有DRAM产能转为HBM，以及在平泽P4晶圆厂集群新建产线。由于HBM3/3E早期表现不及对手，三星HBM份额今年初曾快速下滑并出现产线未满载；但自2025年下半年起，HBM3E与HBM4样品在英伟达、博通、AMD测试认证中表现良好，为2026年订单提供保障。