我国首台串列型高能氢离子注入机POWER-750H成功出束

中国原子能科学研究院宣布成功研制我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）并顺利出束。离子注入机是芯片制造四大核心装备之一，此前国内高能离子注入设备长期依赖进口。项目团队基于串列加速器技术，形成从底层原理到整机集成的正向设计与工程化能力，突破国外技术封锁。该成果有望提升功率半导体等关键领域的国产装备保障与供应链自主可控水平。

中国原子能科学研究院成功研制我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）并顺利出束，意味着高能离子注入关键装备取得国产化突破。离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称芯片制造四大核心装备，此前该类高能设备在国内完全依赖进口。原子能院基于串列加速器技术，形成从底层原理到整机集成的正向设计与系统集成能力，打破国外技术封锁，为功率半导体等关键领域的自主保障与后续工程化应用奠定基础。